Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field / Gladkovskij, V. V., Fedorovich, O. A. (2017)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000798647
  Technology and design in electronic equipment   Б - 2020  /     Issue (2017, № 4-5)

Гладковский В. В., Федорович О. А.
Исследование влияния кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем

Бібліографічний опис:
Гладковский В. В., Федорович О. А. Исследование влияния кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2017. № 4-5. С. 40-44. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000798647

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2017, 4-5)

Gladkovskij V. V., Fedorovich O. A.
Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field

Cite:
Gladkovskij, V. V., Fedorovich, O. A. (2017). Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. Technology and design in electronic equipment, 4-5, 40-44. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000798647 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209