Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers / Abdurakhmanov, B. M., Olimov, L. O., Abdurazakov, F. (2010)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877896
  Physical surface engineering   /     Issue (2010, Т. 8, № 1)

Абдурахманов Б. М., Олимов Л. О., Абдуразаков Ф.
Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда

Бібліографічний опис:
Абдурахманов Б. М., Олимов Л. О., Абдуразаков Ф. Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда. Фізична інженерія поверхні. 2010. Т. 8, № 1. С. 72-76. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877896

English  Physical surface engineering   /     Issue (2010, 8 (1))

Abdurakhmanov B. M., Olimov L. O., Abdurazakov F.
Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers

Cite:
Abdurakhmanov, B. M., Olimov, L. O., Abdurazakov, F. (2010). Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers. Physical surface engineering, 8 (1), 72-76. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877896 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209