Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors / Olimov, L. O. (2010)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877912
  Physical surface engineering   /     Issue (2010, Т. 8, № 2)

Олимов Л. О.
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

Бібліографічний опис:
Олимов Л. О.  Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников. Фізична інженерія поверхні. 2010. Т. 8, № 2. С. 173-179. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877912

English  Physical surface engineering   /     Issue (2010, 8 (2))

Olimov L. O.
Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors

Cite:
Olimov, L. O. (2010). Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors. Physical surface engineering, 8 (2), 173-179. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877912 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209