Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure / Abdulkhaev, O. A., Asanova, G. O., Gijasova, F. A., Jodgorova, D. M., Karimov, A. A., Karimov, A. V. (2011)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000890004
Physical surface engineering /  Issue (2011, Т. 9, № 2)
Абдулхаев О. А., Асанова Г. О., Гиясова Ф. А., Ёдгорова Д. М., Каримов А. А., Каримов А. В.
Исследование переходных процессов в кремниевой p+pn+ -структуре
Бібліографічний опис:
Абдулхаев О. А., Асанова Г. О., Гиясова Ф. А., Ёдгорова Д. М., Каримов А. А., Каримов А. В. Исследование переходных процессов в кремниевой p+pn+ -структуре. Фізична інженерія поверхні. 2011. Т. 9, № 2. С. 188-193. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000890004 |  Physical surface engineering / Issue (2011, 9 (2))
Abdulkhaev O. A., Asanova G. O., Gijasova F. A., Jodgorova D. M., Karimov A. A., Karimov A. V.
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
Cite:
Abdulkhaev, O. A., Asanova, G. O., Gijasova, F. A., Jodgorova, D. M., Karimov, A. A., Karimov, A. V. (2011). Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure. Physical surface engineering, 9 (2), 188-193. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000890004 [In Russian]. | |
|
|
PDF