A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides / Sukhovii, N. O., Liakhova, N. M., Masol, I. V., Osinskyi, V. I. (2018)
web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000944303 Data recording, storage & processing Б - 2020 / Issue (2018, Т. 20, № 3)
Суховій Н. О., Ляхова Н. М., Масол І. В., Осінський В. І. Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів
Бібліографічний опис: Суховій Н. О., Ляхова Н. М., Масол І. В., Осінський В. І. Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів. Реєстрація, зберігання і обробка даних. 2018. Т. 20, № 3. С. 13–20. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000944303 | Data recording, storage & processing / Issue (2018, 20 (3))
Sukhovii N. O., Liakhova N. M., Masol I. V., Osinskyi V. I. A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides
Cite: Sukhovii, N. O., Liakhova, N. M., Masol, I. V., Osinskyi, V. I. (2018). A study of applications of nanotexturized sapphire as a template for MOCVD-heteroepitaxy of III-nitrides. Data recording, storage & processing, 20 (3), 13–20. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000944303 [In Ukrainian]. |
|
|