The effect of photoconductivity localization in macroporous silicon / Karas, N. I., Parshin, K. A. (2016)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971229
  Chemistry, physics and technology of surface    А - 2022  /     Issue (2016, Т. 7, № 2)

Карась Н. И., Паршин К. А.
Эффект локализации фотопроводимости в структурах макропористого кремния

Бібліографічний опис:
Карась Н. И., Паршин К. А. Эффект локализации фотопроводимости в структурах макропористого кремния. Хімія, фізика та технологія поверхні. 2016. Т. 7, № 2. С. 246-250. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971229

English  Chemistry, physics and technology of surface   /     Issue (2016, 7 (2))

Karas N. I., Parshin K. A.
The effect of photoconductivity localization in macroporous silicon

Cite:
Karas, N. I., Parshin, K. A. (2016). The effect of photoconductivity localization in macroporous silicon. Chemistry, physics and technology of surface, 7 (2), 246-250. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971229 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209