| 
Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect / Chernyshov, N. N., Slipchenko, N. I., Selevko, S. N., Umjarov, R. Ja., Sadym, D. N. (2014)
| 
 web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971649 Physical surface engineering
    /      Issue (2014,  Т. 12, № 1) 
 Чернышов Н. Н., Слипченко Н. И., Селевко С. Н., Умяров Р. Я., Садым Д. Н.Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фото-элекромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта
 
 
 Бібліографічний опис:Чернышов Н. Н., Слипченко Н. И., Селевко С. Н., Умяров Р. Я., Садым Д. Н. Исследование модели фотоэлектрического преобразователя на основе монокристаллического кремния при помощи фото-элекромагнитного и магнитоконцентрационного эффекта. Фізична інженерія поверхні. 2014.  Т. 12, № 1. С. 114-122. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971649
 |  |  Physical surface engineering   /  Issue (2014, 12 (1)) 
 Chernyshov N. N., Slipchenko N. I., Selevko S. N., Umjarov R. Ja., Sadym D. N.Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect
 
 Cite:Chernyshov, N. N., Slipchenko, N. I., Selevko, S. N., Umjarov, R. Ja., Sadym, D. N. (2014). Photoelectric converter model studing based on monocrystal Si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect. Physical surface engineering, 12 (1), 114-122. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000971649 [In Russian].
 |  |  |  |