High-pressure-induced relaxation of electrical resistance of low-doped NoBa2Cu3O7–x single crystals / Khadzhaj, G. Ja., Vovk, R. V. (2019)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012127
  Low Temperature Physics      А - 2019  /     Issue (2019, Т. 45, № 4)

Хаджай Г. Я., Вовк Р. В.
Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa2Cu3O7–x

Бібліографічний опис:
Хаджай Г. Я., Вовк Р. В. Индуцированная высоким давлением релаксация электрического сопротивления в слабодопированных монокристаллах НоBa2Cu3O7–x. Фізика низьких температур. 2019. Т. 45, № 4. С. 539-541. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012127

English  Low Temperature Physics   /     Issue (2019, 45 (4))

Khadzhaj G. Ja., Vovk R. V.
High-pressure-induced relaxation of electrical resistance of low-doped NoBa2Cu3O7–x single crystals

Cite:
Khadzhaj, G. Ja., Vovk, R. V. (2019). High-pressure-induced relaxation of electrical resistance of low-doped NoBa2Cu3O7–x single crystals. Low Temperature Physics, 45 (4), 539-541. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012127 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209