Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films / Dzhabua, Z. U., Teteloshvili, M. G., Gigineishvili, A. V. (2014)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031066
  Physical surface engineering   /     Issue (2014, Т. 12, № 2)

Джабуа З. У., Тетелошвили М. Г., Гигинеишвили А. В.
Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия

Бібліографічний опис:
Джабуа З. У., Тетелошвили М. Г., Гигинеишвили А. В. Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия. Фізична інженерія поверхні. 2014. Т. 12, № 2. С. 232-236. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031066

English  Physical surface engineering   /     Issue (2014, 12 (2))

Dzhabua Z. U., Teteloshvili M. G., Gigineishvili A. V.
Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films

Cite:
Dzhabua, Z. U., Teteloshvili, M. G., Gigineishvili, A. V. (2014). Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films. Physical surface engineering, 12 (2), 232-236. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001031066 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209