Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk / Onyshchenko, V. F. (2015)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061489
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2015, Вып. 50)

Онищенко В. Ф.
Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об'єму зразка

Бібліографічний опис:
Онищенко В. Ф.  Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об'єму зразка. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2015. Вып. 50. С. 125-131. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061489

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2015, 50)

Onyshchenko V. F.
Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk

Cite:
Onyshchenko, V. F. (2015). Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the sample bulk. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 50, 125-131. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001061489 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209