Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. 2015 (50) АРХІВ (Всі випуски) 
 | Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка
2015. Вип. 50 |
- Титул.
- Содежание.
- Власенко О. І., Велещук В. П., Киселюк М. П., Власенко З. К., Ляшенко І. О., Ляшенко О. В. Акустична емісія світловипромінюючих структур та світлодіодів (огляд). - C. 5-16.
- Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Матіюк І. М., Ткачук А. І. InAs Фотодіоди (огляд). - C. 17-43.
- Данько В. А., Індутний І. З., Луканюк М. В., Минько В. І., Пономарьов С. С., Шепелявий П. Є., Юхимчук В. О. Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд). - C. 44-57.
- Кудрик Я. Я. Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд). - C. 58-72.
- Баранський П. І., Гайдар Г. П. Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації. - C. 73-78.
- Паюк А. П., Мешалкин А. Ю., Стронский А. В., Акимова Е. А., Сергеев С. А., Абашкин В. Г., Литвин О. С., Олексенко П. Ф., Присакарь А. М., Тридух Г. М., Сенченко Е. В. Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge5As37S58–Se как регистрирующих сред. - C. 79-86.
- Руденко С. П., Стеценко М. А., Крищенко И. М., Максименко Л. С., Каганович Э. Б., Сердега Б. К. Диагностика локализированных поверхностных плазмонных резонансов в пленках пористого золота. - C. 87-93.
- Маланич Г. П., Томашик В. М., Стратийчук И. Б., Томашик З. Ф. Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H2O2–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr. - C. 94-101.
- Костюкевич Е. В., Костюкевич С. А., Кудрявцев А. А., Москаленко Н. Л. Анализ изменения оптических характеристик поликристаллических пленок золота под влиянием низкотемпературного отжига. - C. 102-108.
- Данько В. А., Дмитрук М. Л., Індутний І. З., Мамикін С. В., Минько В. І., Литвин П. М., Луканюк М. В., Шепелявий П. Є. Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів. - C. 109-116.
- Христосенко Р. В., Костюкевич Е. В., Ушенин Ю. В., Самойлов А. В. Улучшение эксплуатационных характеристик преобразователей на основе поверхностного плазмонного резонанса за счет оптической части сенсорных приборов типа "плазмон”. - C. 117-124.
- Онищенко В. Ф. Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка. - C. 125-131.
- Свєчніков С. В. До виходу 50-го випуску збірника наукових праць "Оптоелектроніка на напівпровідникова техніка”. - C. 132-133.
- Вихідні дані.
|
|
