"Slow" surface levels and relaxation of photoconductivity in the structures of macroporous silicon in the violet range of the optical spectrum / Karas, N. I., Onishchenko, V. F., Kalustova, D. A., Kornaga, V. I. (2017)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138338
  Optoelectronics and Semiconductor Technique  Б - 2020  /     Issue (2017, Вып. 52)

Карась Н. И., Онищенко В. Ф., Калустова Д. А., Корнага В. И.
"Медленные" поверхностные уровни и релаксация фотопроводимости в структурах макропористого кремния в фиолетовой области оптического спектра

Бібліографічний опис:
Карась Н. И., Онищенко В. Ф., Калустова Д. А., Корнага В. И. "Медленные" поверхностные уровни и релаксация фотопроводимости в структурах макропористого кремния в фиолетовой области оптического спектра. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2017. Вып. 52. С. 135-139 . URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138338

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2017, 52)

Karas N. I., Onishchenko V. F., Kalustova D. A., Kornaga V. I.
"Slow" surface levels and relaxation of photoconductivity in the structures of macroporous silicon in the violet range of the optical spectrum

Cite:
Karas, N. I., Onishchenko, V. F., Kalustova, D. A., Kornaga, V. I. (2017). "Slow" surface levels and relaxation of photoconductivity in the structures of macroporous silicon in the violet range of the optical spectrum. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 52, 135-139 . http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001138338 [In Russian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209