Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer / Storozhenko, I. P., Sanin, S. I. (2022)
Ukrainian

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001392380
  Radio Physics and Radio Astronomy     Б - 2020  /     Issue (2022, Т. 27, № 4)

Стороженко І. П., Санін С. І.
Терагерцові коливання в InN-діодах Ганна з довжиною активної області 1 мкм та з GaInN варизонним шаром

Бібліографічний опис:
Стороженко І. П., Санін С. І. Терагерцові коливання в InN-діодах Ганна з довжиною активної області 1 мкм та з GaInN варизонним шаром. Радіофізика і радіоастрономія. 2022. Т. 27, № 4. С. 289-298. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001392380

English  Radio Physics and Radio Astronomy   /     Issue (2022, 27 (4))

Storozhenko I. P., Sanin S. I.
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer

Cite:
Storozhenko, I. P., Sanin, S. I. (2022). Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer. Radio Physics and Radio Astronomy, 27 (4), 289-298. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001392380 [In Ukrainian].

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209