Порівняльний аналіз динамічних характеристик SI-MOSFET, SIC-MOSFET та SI-IGBT транзисторів / Ковбаса С. М., Вербовий Ю. В., Коломійчук Є. В. (2025)
UkrainianEnglish

web address of the page http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001607099
  Technical Electrodynamics     А - 2018  /     Issue (2025, № 5)

Ковбаса С. М., Вербовий Ю. В., Коломійчук Є. В.
Порівняльний аналіз динамічних характеристик SI-MOSFET, SIC-MOSFET та SI-IGBT транзисторів

Бібліографічний опис:
Ковбаса С. М., Вербовий Ю. В., Коломійчук Є. В. Порівняльний аналіз динамічних характеристик SI-MOSFET, SIC-MOSFET та SI-IGBT транзисторів. Технічна електродинаміка. 2025. № 5. С. 26-37. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001607099

 

Institute of Information Technologies of VNLU

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Ukraine, 03039, Kyiv, Holosiivskyi Ave, 3, room 209