Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках / Даунов М. И., Камилов И. К., Габибов С. Ф. (2009)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000107572
  Физика и техника высоких давлений  В - 2015  /     Випуск (2009, Т. 19, № 1)

Даунов М. И., Камилов И. К., Габибов С. Ф.
Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках

Бібліографічний опис:
Даунов М. И., Камилов И. К., Габибов С. Ф. Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках. Физика и техника высоких давлений. 2009. Т. 19, № 1. С. 164-170. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000107572

English  High Pressure Physics and Engineering   /     Issue (2009, 19 (1))

translit Transliteration

Daunov M. I., Kamilov I. K., Gabibov S. F.
Ispolzovanie vsestoronnego davlenija dlja otsenki stepeni vlijanija fluktuatsionnogo potentsiala na energeticheskij spektr nositelej zarjada v kristallicheskikh poluprovodnikakh

Cite:
Daunov, M. I., Kamilov, I. K., Gabibov, S. F. (2009). Ispolzovanie vsestoronnego davlenija dlja otsenki stepeni vlijanija fluktuatsionnogo potentsiala na energeticheskij spektr nositelej zarjada v kristallicheskikh poluprovodnikakh. High Pressure Physics and Engineering, 19 (1), 164-170 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000107572 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна