Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением / Моллаев А. Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Залибеков У. З., Арсланов Т. Р., Новоторцев В. М., Маренкин С. Ф. (2009)
Ukrainian

English  High Pressure Physics and Engineering   /     Issue (2009, 19 (2))

translit Transliteration


Mollaev A. Ju., Kamilov I. K., Arslanov R. K., Zalibekov U. Z., Arslanov T. R., Novotortsev V. M., Marenkin S. F.
Otritsatelnoe magnitosoprotivlenie v p-InAs:Mn i p-CdGeAs2:Mn, indutsirovannoe vysokim davleniem


Cite:
Mollaev, A. Ju., Kamilov, I. K., Arslanov, R. K., Zalibekov, U. Z., Arslanov, T. R., Novotortsev, V. M., Marenkin, S. F. (2009). Otritsatelnoe magnitosoprotivlenie v p-InAs:Mn i p-CdGeAs2:Mn, indutsirovannoe vysokim davleniem. High Pressure Physics and Engineering, 19 (2), 99-102 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000118336 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна