Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6 / Тягур Ю. И., Тягур И. Ю. (2010)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000118396
  Физика и техника высоких давлений  В - 2015  /     Випуск (2010, Т. 20, № 3)

Тягур Ю. И., Тягур И. Ю.
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6

Бібліографічний опис:
Тягур Ю. И., Тягур И. Ю. Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6. Физика и техника высоких давлений. 2010. Т. 20, № 3. С. 56-69. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000118396

English  High Pressure Physics and Engineering   /     Issue (2010, 20 (3))

translit Transliteration

Tjagur Ju. I., Tjagur I. Ju.
Issledovanija zavisimostej elektricheskogo soprotivlenija ot davlenija vblizi fazovogo perekhoda v segnetoelektricheskikh kristallakh Sn2P2S6

Cite:
Tjagur, Ju. I., Tjagur, I. Ju. (2010). Issledovanija zavisimostej elektricheskogo soprotivlenija ot davlenija vblizi fazovogo perekhoda v segnetoelektricheskikh kristallakh Sn2P2S6. High Pressure Physics and Engineering, 20 (3), 56-69 http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000118396 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна