Електрофізичні та оптичні характеристики фосфідо-галієвих діодів, опромінених електронами з Е = 2 МеВ / Конорева О. В., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П., Шлапацька В. В. (2014)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339720
Ядерна фізика та енергетика    А - 2018 /  Випуск (2014, Т. 15, № 4)
Конорева О. В., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П., Шлапацька В. В.
Електрофізичні та оптичні характеристики фосфідо-галієвих діодів, опромінених електронами з Е = 2 МеВ
Бібліографічний опис:
Конорева О. В., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П., Шлапацька В. В. Електрофізичні та оптичні характеристики фосфідо-галієвих діодів, опромінених електронами з Е = 2 МеВ. Ядерна фізика та енергетика. 2014. Т. 15, № 4. С. 349-352. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339720 |  Nuclear physics and atomic energy / Issue (2014, 15 (4))
Konoreva O. V., Malyi Ye. V., Petrenko I. V., Pinkovska M. B., Tartachnyk V. P., Shlapatska V. V.
Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
Cite:
Konoreva, O. V., Malyi, Ye. V., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Tartachnyk, V. P., Shlapatska, V. V. (2014). Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons. Nuclear physics and atomic energy, 15 (4), 349-352. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000339720 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF