Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes / Tretyak O. V., Kozonushchenko O. I., Krivokhizha K. V., Revenko A. S. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349134
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 1)

Tretyak O. V., Kozonushchenko O. I., Krivokhizha K. V., Revenko A. S.
Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes

Cite:
Tretyak, O. V., Kozonushchenko, O. I., Krivokhizha, K. V., Revenko, A. S. (2010). Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (1), 95-97 . http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349134

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна