Model of heterotransistor with quantum dots / Timofeyev V. I., Faleyeva E. M. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349245
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 2)

Timofeyev V. I., Faleyeva E. M.
Model of heterotransistor with quantum dots

Cite:
Timofeyev, V. I., Faleyeva, E. M. (2010). Model of heterotransistor with quantum dots. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (2), 186-188. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349245

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна