Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures / Mumimov R. A., Kanyazov Sh. K., Saymbetov A. K. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349316
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 3)

Mumimov R. A., Kanyazov Sh. K., Saymbetov A. K.
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures

Cite:
Mumimov, R. A., Kanyazov, Sh. K., Saymbetov, A. K. (2010). Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (3), 259-261. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349316

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна