Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films / Tolmachov I. D., Stronski A. V., Vlcek M. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349320
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 3)

Tolmachov I. D., Stronski A. V., Vlcek M.
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films

Cite:
Tolmachov, I. D., Stronski, A. V., Vlcek, M. (2010). Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (3), 276-279. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349320

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна