Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch / Elkadadra A., Abouelaoualim D., Oueriagli A., Outzourhit A. (2010)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349330
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2010, Vol. 13, № 3)

Elkadadra A., Abouelaoualim D., Oueriagli A., Outzourhit A.
Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch

Cite:
Elkadadra, A., Abouelaoualim, D., Oueriagli, A., Outzourhit, A. (2010). Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 13 (3), 321-325. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349330

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна