The electric field gradient asymmetry parameter in InSe / Kovalyuk Z. D., Khandozhko A. G., Lastivka G. I., Samila A. P. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349487
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 2)

Kovalyuk Z. D., Khandozhko A. G., Lastivka G. I., Samila A. P.
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe

Cite:
Kovalyuk, Z. D., Khandozhko, A. G., Lastivka, G. I., Samila, A. P. (2011). The electric field gradient asymmetry parameter in InSe. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (2), 164-166. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349487

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна