Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium / Boiko I. I. (2011)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349751
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2011, Vol. 14, № 3)

Boiko I. I.
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium

Cite:
Boiko, I. I. (2011). Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 14 (3), 357-361. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349751

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна