інтернет-адреса сторінки:
http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350132
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics 
А - 2019 /
Випуск (2012, Vol. 15, № 2)
Paiuk A. P., Stronski A. V., Vuichyk N. V., Gubanova A. A., Krys'kov Ts. A., Oleksenko P. F.
Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals
Cite:
Paiuk, A. P., Stronski, A. V., Vuichyk, N. V., Gubanova, A. A., Kryskov, Ts. A., Oleksenko, P. F. (2012). Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 15 (2), 152-155. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350132
PDF