Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms / Pugantseva O. V., Kramar V. M., Fesiv I. V., Kudryavtsev O. O. (2013)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351887
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2013, Vol. 16, № 2)

Pugantseva O. V., Kramar V. M., Fesiv I. V., Kudryavtsev O. O.
Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms

Cite:
Pugantseva, O. V., Kramar, V. M., Fesiv, I. V., Kudryavtsev, O. O. (2013). Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 16 (2), 170-176. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000351887

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна