Electronic structure of PbSnS3 and PbGeS3 semiconductor compounds with the mixed cation coordination / Bletskan M. M., Bletskan D. I., Kabatsii V. M. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353226
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 1)

Bletskan M. M., Bletskan D. I., Kabatsii V. M.
Electronic structure of PbSnS3 and PbGeS3 semiconductor compounds with the mixed cation coordination

Cite:
Bletskan, M. M., Bletskan, D. I., Kabatsii, V. M. (2015). Electronic structure of PbSnS3 and PbGeS3 semiconductor compounds with the mixed cation coordination. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (1), 12-19. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353226

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна