Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si / Red'ko S. M. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353236
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 1)

Red'ko S. M.
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si

Cite:
Redko, S. M. (2015). Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (1), 71-73. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353236

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна