Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100) / Kondratenko S. V. (2015)
UkrainianEnglish

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353241
  Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics       А - 2019  /     Випуск (2015, Vol. 18, № 1)

Kondratenko S. V.
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)

Cite:
Kondratenko, S. V. (2015). Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100). Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics , 18 (1), 97-100. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353241

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна