Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках / Баранський П. І., Гайдар Г. П. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363120
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2013, Вып. 48)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2013. Вып. 48. С. 54-59. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363120

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2013, 48)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2013). Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 48, 54-59. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363120 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна