Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Іващенко В. І., Порада О. К., Козак А. О., Ткачук А. І., Ворощенко А. Т. (2013)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363126
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2013, Вып. 48)
Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Іващенко В. І., Порада О. К., Козак А. О., Ткачук А. І., Ворощенко А. Т.
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
Бібліографічний опис:
Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Іващенко В. І., Порада О. К., Козак А. О., Ткачук А. І., Ворощенко А. Т. Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2013. Вып. 48. С. 96-104. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363126 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2013, 48)
Sukach A. V., Tetorkin V. V., Ivashchenko V. I., Porada O. K., Kozak A. O., Tkachuk A. I., Voroshchenko A. T.
Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
Cite:
Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Ivashchenko, V. I., Porada, O. K., Kozak, A. O., Tkachuk, A. I., Voroshchenko, A. T. (2013). Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 48, 96-104. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363126 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF