Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Оліх Я. М. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363128
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2013, Вып. 48)

Оліх Я. М.
Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації

Бібліографічний опис:
Оліх Я. М.  Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2013. Вып. 48. С. 113-120. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363128

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2013, 48)

Olikh Ya. M.
About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation

Cite:
Olikh, Ya. M. (2013). About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 48, 113-120. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363128 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна