Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / Баранський П. І., Гайдар Г. П. (2010)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363612
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2010, Вып. 45)

Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук

Бібліографічний опис:
Баранський П. І., Гайдар Г. П. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2010. Вып. 45. С. 69-75. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363612

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2010, 45)

Baranskyi P. I., Haidar H. P.
Radiation and thermal stability of thin layers, he-terosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor com-pounds

Cite:
Baranskyi, P. I., Haidar, H. P. (2010). Radiation and thermal stability of thin layers, he-terosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor com-pounds. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 45, 69-75. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363612 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна