Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мазарчук І. О., Кролевець М. М., Лук'яненко В. І., Луцишин І. Г. (2010)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363617
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2010, Вып. 45)
Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мазарчук І. О., Кролевець М. М., Лук'яненко В. І., Луцишин І. Г.
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів
Бібліографічний опис:
Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Мазарчук І. О., Кролевець М. М., Лук'яненко В. І., Луцишин І. Г. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2010. Вып. 45. С. 109-116. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363617 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2010, 45)
Sukach A. V., Tetorkin V. V., Mazarchuk I. O., Krolevets M. M., Lukianenko V. I., Lutsyshyn I. H.
Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
Cite:
Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Mazarchuk, I. O., Krolevets, M. M., Lukianenko, V. I., Lutsyshyn, I. H. (2010). Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 45, 109-116. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363617 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF