Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Венгер Е. Ф., Матвеева Л. А., Нелюба П. Л. (2011)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363682
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2011, Вып. 46)

Венгер Е. Ф., Матвеева Л. А., Нелюба П. Л.
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами

Бібліографічний опис:
Венгер Е. Ф., Матвеева Л. А., Нелюба П. Л. Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2011. Вып. 46. С. 43-48. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363682

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2011, 46)

Venger E. F., Matveeva L. A., Neljuba P. L.
Radiation-stimulated effects in heterostructures with fullerenes

Cite:
Venger, E. F., Matveeva, L. A., Neljuba, P. L. (2011). Radiation-stimulated effects in heterostructures with fullerenes. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 46, 43-48. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363682 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна