Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Асніс Ю. А., Баранський П. І., Бабич В. М., Піскун Н. В., Статкевич І. І. (2011)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363684
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Б - 2020 /  Випуск (2011, Вып. 46)
Асніс Ю. А., Баранський П. І., Бабич В. М., Піскун Н. В., Статкевич І. І.
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
Бібліографічний опис:
Асніс Ю. А., Баранський П. І., Бабич В. М., Піскун Н. В., Статкевич І. І. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2011. Вып. 46. С. 57-61. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363684 |  Optoelectronics and Semiconductor Technique / Issue (2011, 46)
Asnis Yu. A., Baranskyi P. I., Babych V. M., Piskun N. V., Statkevych I. I.
Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
Cite:
Asnis, Yu. A., Baranskyi, P. I., Babych, V. M., Piskun, N. V., Statkevych, I. I. (2011). Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 46, 57-61. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363684 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF