Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx / Данько В. А., Індутний І. З., Коломис О. Ф., Стрельчук В. В., Шепелявий П. Є. (2011)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363691
  Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б - 2020  /     Випуск (2011, Вып. 46)

Данько В. А., Індутний І. З., Коломис О. Ф., Стрельчук В. В., Шепелявий П. Є.
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx

Бібліографічний опис:
Данько В. А., Індутний І. З., Коломис О. Ф., Стрельчук В. В., Шепелявий П. Є. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2011. Вып. 46. С. 103-110. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363691

English  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /     Issue (2011, 46)

Danko V. A., Indutnyi I. Z., Kolomys O. F., Strelchuk V. V., Shepeliavyi P. Ye.
Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures

Cite:
Danko, V. A., Indutnyi, I. Z., Kolomys, O. F., Strelchuk, V. V., Shepeliavyi, P. Ye. (2011). Reversible photodarkening in composite As2S3/SiOx nanostructures. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 46, 103-110. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363691 [In Ukrainian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна