| 
Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Лук'яненко В. І., Луцишин І. Г. (2011) 
| 
 інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363692 Оптоэлектроника и полупроводниковая техника  Б
  - 2020  /      Випуск (2011, Вып. 46) 
 Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Лук'яненко В. І., Луцишин І. Г.Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
 
 
 Бібліографічний опис:Сукач А. В., Тетьоркін В. В., Ворощенко А. Т., Кравецький М. Ю., Лук'яненко В. І., Луцишин І. Г. Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2011. Вып. 46. С. 111-118. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363692
 |  |  Optoelectronics and Semiconductor Technique   /  Issue (2011, 46) 
 Sukach A. V., Tetorkin V. V., Voroshchenko A. T., Kravetskyi M. Yu., Lukianenko V. I., Lutsyshyn I. H.Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
 
 Cite:Sukach, A. V., Tetorkin, V. V., Voroshchenko, A. T., Kravetskyi, M. Yu., Lukianenko, V. I., Lutsyshyn, I. H. (2011). Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes. Optoelectronics and Semiconductor Technique, 46, 111-118. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363692 [In Ukrainian].
 |  |  |  |