Особливості електрооптичних характеристик світлодіодів фосфіду галію в умовах високих рівнів інжекції / Гонтарук О. М., Конорева О. В., Литовченко М. В., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П. (2015)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000394027
Ядерна фізика та енергетика    А - 2018 /  Випуск (2015, Т. 16, № 1)
Гонтарук О. М., Конорева О. В., Литовченко М. В., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П.
Особливості електрооптичних характеристик світлодіодів фосфіду галію в умовах високих рівнів інжекції
Бібліографічний опис:
Гонтарук О. М., Конорева О. В., Литовченко М. В., Малий Є. В., Петренко І. В., Пінковська М. Б., Тартачник В. П. Особливості електрооптичних характеристик світлодіодів фосфіду галію в умовах високих рівнів інжекції. Ядерна фізика та енергетика. 2015. Т. 16, № 1. С. 56-59. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000394027 |  Nuclear physics and atomic energy / Issue (2015, 16 (1))
Hontaruk O. M., Konoreva O. V., Lytovchenko M. V., Malyi Ye. V., Petrenko I. V., Pinkovska M. B., Tartachnyk V. P.
Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
Cite:
Hontaruk, O. M., Konoreva, O. V., Lytovchenko, M. V., Malyi, Ye. V., Petrenko, I. V., Pinkovska, M. B., Tartachnyk, V. P. (2015). Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions. Nuclear physics and atomic energy, 16 (1), 56-59. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000394027 [In Ukrainian]. | |
|
|
PDF