Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения / Томашик З. Ф., Стратийчук И. Б., Томашик В. Н., Будзуляк С. И., Гнатив И. И., Комар В. К., Дубина Н. Г., Лоцько А. П., Корбутяк Д. В., Демчина Л. А. (2013)
Ukrainian

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2013, 1)

Tomashik Z. F., Stratijchuk I. B., Tomashik V. N., Budzuljak S. I., Gnativ I. I., Komar V. K., Dubina N. G., Lotsko A. P., Korbutjak D. V., Demchina L. A.
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector


Cite:
Tomashik, Z. F., Stratijchuk, I. B., Tomashik, V. N., Budzuljak, S. I., Gnativ, I. I., Komar, V. K., Dubina, N. G., Lotsko, A. P., Korbutjak, D. V., Demchina, L. A. (2013). Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector. Technology and design in electronic equipment, 1, 42-44. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404960 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ


+38 (044) 525-36-24
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна