Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / Пилипенко В. А., Горушко В. А., Петлицкий А. Н., Понарядов В. В., Турцевич А. С., Шведов С. В. (2013)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405014
Технология и конструирование в электронной аппаратуре  Б - 2020 /  Випуск (2013, № 2-3)
Пилипенко В. А., Горушко В. А., Петлицкий А. Н., Понарядов В. В., Турцевич А. С., Шведов С. В.
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
Бібліографічний опис:
Пилипенко В. А., Горушко В. А., Петлицкий А. Н., Понарядов В. В., Турцевич А. С., Шведов С. В. Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 2-3. С. 43-57. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405014 |  Technology and design in electronic equipment / Issue (2013, 2-3)
Pilipenko V. A., Gorushko V. A., Petlitskij A. N., Ponarjadov V. V., Turtsevich A. S., Shvedov S. V.
Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
Cite:
Pilipenko, V. A., Gorushko, V. A., Petlitskij, A. N., Ponarjadov, V. V., Turtsevich, A. S., Shvedov, S. V. (2013). Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits. Technology and design in electronic equipment, 2-3, 43-57. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405014 [In Russian]. | |
|
|
PDF