Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов / Кукла А. Л., Лозовой С. В., Павлюченко А. С., Нагибин С. Н. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405016
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2013, № 2-3)

Кукла А. Л., Лозовой С. В., Павлюченко А. С., Нагибин С. Н.
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов

Бібліографічний опис:
Кукла А. Л., Лозовой С. В., Павлюченко А. С., Нагибин С. Н. Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 2-3. С. 61-68. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405016

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2013, 2-3)

Kukla A. L., Lozovoj S. V., Pavljuchenko A. S., Nagibin S. N.
Investigation of metrological parameters of sensors based on the pH-sensitive field effect transistors

Cite:
Kukla, A. L., Lozovoj, S. V., Pavljuchenko, A. S., Nagibin, S. N. (2013). Investigation of metrological parameters of sensors based on the pH-sensitive field effect transistors. Technology and design in electronic equipment, 2-3, 61-68. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405016 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна