Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ / Вакив Н. М., Круковский С. И., Тимчишин В. Р., Васькив А. П. (2013)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405174
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2013, № 6)

Вакив Н. М., Круковский С. И., Тимчишин В. Р., Васькив А. П.
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ

Бібліографічний опис:
Вакив Н. М., Круковский С. И., Тимчишин В. Р., Васькив А. П. Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2013. № 6. С. 41-45. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405174

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2013, 6)

Vakiv N. M., Krukovskij S. I., Timchishin V. R., Vaskiv A. P.
Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method

Cite:
Vakiv, N. M., Krukovskij, S. I., Timchishin, V. R., Vaskiv, A. P. (2013). Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method. Technology and design in electronic equipment, 6, 41-45. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405174 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна