Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках / Венгер Е. Ф., Литвин П. М., Матвеева Л. А., Митин В. Ф., Холевчук В. В. (2014)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405268 Технология и конструирование в электронной аппаратуре Б - 2020 / Випуск (2014, № 4)
Венгер Е. Ф., Литвин П. М., Матвеева Л. А., Митин В. Ф., Холевчук В. В. Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
Бібліографічний опис: Венгер Е. Ф., Литвин П. М., Матвеева Л. А., Митин В. Ф., Холевчук В. В. Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 4. С. 39-44. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405268 | Technology and design in electronic equipment / Issue (2014, 4)
Venger E. F., Litvin P. M., Matveeva L. A., Mitin V. F., Kholevchuk V. V. Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
Cite: Venger, E. F., Litvin, P. M., Matveeva, L. A., Mitin, V. F., Kholevchuk, V. V. (2014). Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films. Technology and design in electronic equipment, 4, 39-44. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405268 [In Russian]. |
|
|