Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки / Гаркавенко А. С., Мокрицкий В. А., Банзак О. В., Завадский В. А. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405270
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2014, № 4)

Гаркавенко А. С., Мокрицкий В. А., Банзак О. В., Завадский В. А.
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки

Бібліографічний опис:
Гаркавенко А. С., Мокрицкий В. А., Банзак О. В., Завадский В. А. Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 4. С. 50-55. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405270

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2014, 4)

Garkavenko A. S., Mokritskij V. A., Banzak O. V., Zavadskij V. A.
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background

Cite:
Garkavenko, A. S., Mokritskij, V. A., Banzak, O. V., Zavadskij, V. A. (2014). Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background. Technology and design in electronic equipment, 4, 50-55. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405270 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна