Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / Гаркавенко А. С., Мокрицкий В. А., Банзак О. В., Завадский В. А. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405305
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2014, № 5-6)

Гаркавенко А. С., Мокрицкий В. А., Банзак О. В., Завадский В. А.
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент

Бібліографічний опис:
Гаркавенко А. С., Мокрицкий В. А., Банзак О. В., Завадский В. А. Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 5-6. С. 51-56. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405305

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2014, 5-6)

Garkavenko A. S., Mokritskij V. A., Banzak O. V., Zavadskij V. A.
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment

Cite:
Garkavenko, A. S., Mokritskij, V. A., Banzak, O. V., Zavadskij, V. A. (2014). Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment. Technology and design in electronic equipment, 5-6, 51-56. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405305 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна