Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев / Курмашев Ш. Д., Кулинич О. А., Брусенская Г. И., Веремьева А. В. (2014)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405306
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2014, № 5-6)

Курмашев Ш. Д., Кулинич О. А., Брусенская Г. И., Веремьева А. В.
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

Бібліографічний опис:
Курмашев Ш. Д., Кулинич О. А., Брусенская Г. И., Веремьева А. В. Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 5-6. С. 57-62. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405306

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2014, 5-6)

Kurmashev Sh. D., Kulinich O. A., Brusenskaja G. I., Veremeva A. V.
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers

Cite:
Kurmashev, Sh. D., Kulinich, O. A., Brusenskaja, G. I., Veremeva, A. V. (2014). Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers. Technology and design in electronic equipment, 5-6, 57-62. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405306 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна