Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / Баранов В. В., Боровик А. М., Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р., Чан Т. Ч., Шелибак И. (2015)
інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405314 Технология и конструирование в электронной аппаратуре Б - 2020 / Випуск (2015, № 1)
Баранов В. В., Боровик А. М., Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р., Чан Т. Ч., Шелибак И. Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
Бібліографічний опис: Баранов В. В., Боровик А. М., Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р., Чан Т. Ч., Шелибак И. Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2015. № 1. С. 38-43. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405314 | Technology and design in electronic equipment / Issue (2015, 1)
Baranov V. V., Borovik A. M., Lovshenko I. Ju., Stempitskij V. R., Chan T. Ch., Shelibak I. Statistical analysis and optimization of igbt manufacturing flow
Cite: Baranov, V. V., Borovik, A. M., Lovshenko, I. Ju., Stempitskij, V. R., Chan, T. Ch., Shelibak, I. (2015). Statistical analysis and optimization of igbt manufacturing flow. Technology and design in electronic equipment, 1, 38-43. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405314 [In Russian]. |
|
|