Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники / Круковский С. И. (2006)
Ukrainian

інтернет-адреса сторінки: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455221
  Технология и конструирование в электронной аппаратуре   Б - 2020  /     Випуск (2006, № 2)

Круковский С. И.
Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники

Бібліографічний опис:
Круковский С. И.  Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2006. № 2. С. 27-31. URL: http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455221

English  Technology and design in electronic equipment   /     Issue (2006, 2)

Krukovskij S. I.
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic

Cite:
Krukovskij, S. I. (2006). Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic. Technology and design in electronic equipment, 2, 27-31. http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455221 [In Russian].

 

Інститут інформаційних технологій НБУВ

+38 (044) 525-36-24
libnas@nbuv.gov.ua
Голосіївський просп., 3, к. 209
м. Київ, 03039, Україна